针对目前最新的消费电子无线充行业趋势,知名电源管理集成电路设计公司维普创新(WPINNO)顺势推出有一套15W无线充SoC方案(WP8035+WP3010)。方案集成度高,BOM成本低;性能强悍,兼容多种无线快充协议,包括LG 15W、苹果7.5W、三星10W、以及目前最热门的华为10W无线快充;支持单/双/三线圈,可用于多种类线圈应用场景。
维普创新这款PCBA上仅有两颗主要的芯片,为WP8035和WP3010,外围精简。其中,WP8035为15W高集成SoC发射芯片,内部集成MCU、驱动IC等。WP3010为全桥MOS,内置4颗MOS,集成度同样也很高。方案优势如下:
1、这套方案集成度高,外围精简,有助于快速开发、生产和上市销售。更关键的是,BOM成本低,整个BOM成本可控制在个位数的价格以内(包含线圈、PCB板);
2、方案性能强悍,兼容多种无线快充协议,包括LG 15W、苹果7.5W、三星10W、以及目前最热门的华为10W无线快充;
3、支持单/双/三线圈,可用于多种类线圈应用场景。
使用WPINNO老化测试治具对维普创新这套方案进行测试,显示9.20V1.18A。
使用华为Mate 20 Pro进行测试,屏幕显示“正在快速无线充电”,证实这套方案支持华为10W无线快充。
搭配线圈切换MOS,可组成维普创新三线圈方案。支持多达三个线圈,好处是手机无需对准,即放即充,实现自由位置,带来更好的使用体验。
WP8035是一颗15W无线充SoC发射芯片,内部集成MCU、驱动IC等。内置32KB Flash,支持板端/USB口双重升级程序、输入口支持用户定义协议输入。
WP8025/WP8035 无线充系列芯片高集成度,高性能,解决无线充电发射端需求,满足QI标准V1.2.4版本,同时兼容苹果7.5W,三星10W,华为10W、LG 15W等多种手机;内部集成MCU,ADC,实现无线充电功能的同时可以实现客户定制化;同时内部能够对电流&电压双重信号进行解码,准确的辨别发射端的需求;内部集成算法,能准确识别FOD; 完成各种保护。
维普创新WP3010:四合一全桥MOS芯片
维普创新WP3010四合一全桥MOS芯片,内部集成4颗MOS,集成度高,版面简洁。全桥MOSFET组合当芯片,适用于无线充电,电机驱动,音频驱动等多种应用。WP3010拥有的N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术特别适合于最小化导通状态电阻,提供优越的开关性能,以及承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率快速开关应用。
目前该款芯片方案已经批量出货,有需求的客户可以与维普创新取得联系。
联系方式
深圳维普创新科技有限公司
电话:0755-86571750
邮箱:service@wpinno.com
网址:www.wpinno.com
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