英诺赛科出席 ISPSD 2019 并作主题报告

2019年5月19-23日，功率半导体器件与功率集成电路专业领域最权威、最大型的国际会议——第31届国际功率半导体器件和集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD2019) 在上海隆重举行，这是ISPSD会议30多年以来首次在中国内地召开。英诺赛科受邀出席本次会议，发布了公司的最新产业化技术成果，并与国际上该领域顶级权威学者、产业专家进行了深入交流，同时向同行、客户以及上下游合作伙伴展示了最新产品。

在大会“氮化镓器件技术（GaN Device Technology）”专场主题报告环节中，英诺赛科研发副总裁黄敬源博士作了题为“采用新型应力管理方法在8英寸CMOS兼容制程平台制造具有超低导通电阻的高性能硅基氮化镓功率器件（High Performance GaN-on-Si Power Devices with Ultralow Specific On-resistance Using Novel Strain Method Fabricated on 200 mm CMOS-Compatible Process Platform）”的演讲报告（oral paper），详细介绍了英诺赛科采用先进的8英寸外延生长及CMOS 兼容晶圆制造平台，成功研发制造了具有超低导通电阻的高性能常关型硅基氮化镓功率器件的最新成果。报告所发布论文是国内业界唯一入选ISPSD2019氮化镓功率器件环节的会议论文。代表了中国企业也可以实现最先进、极具竞争力的功率半导体技术，具备了打破国际知名半导体企业在该领域统治地位的实力。