士兰微推出应用于手机快充的初级高压MOS

随着生活节奏的加快，手机电池容量加大，消费者迫切需要一种快速充电方案，缓解充电的烦恼，从而催生了快速充电器的发展和普及。此前，手机充电器在经历传统的5V 1A、5V 2A常规规格后，不能满足当下用户对智能数码设备快充的需求，迎来了以高通QC3.0、MTK PE、USB PD为主的三大快充标准。在上游的推动下，整个快充生态链已经具备多达数百款手机、充电器、移动电源、车充等产品。而实现快速充电必然需要加大充电功率，大功率意味着充电器体积的增加，作为移动电子设备配件，充电器体积必须做到小型化，以方便随身携带，这对电源效率，温升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI，Iwatt为主，均采用同步整流，以提高电源效率，降低温度。 001

在这样的大环境与市场需求下，士兰微电子针对行业用户需求，推出了SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D（TO-252贴片）系列专为小体积快充充电器设计的初级高压MOS。

产品介绍

士兰微SVF65R950CMJ/Q/D沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。