碳化硅是第三代宽禁带半导体材料，与硅（Si）相比，碳化硅的介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率等特性，有助于降低能耗和缩小系统尺寸。
随着USB PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在快充电源市场中普及，市场需求越来越大。重庆平伟实业股份有限公司便针对快充电源市场的应用推出了一款碳化硅二极管PASC0665GG，为快充电源厂商的产品开发提供优质解决方案。
平伟推出的PASC0665GG碳化硅肖特基二极管具有650V耐压，150℃下连续电流6A，典型正向压降1.5V，具有零反向恢复/零正向恢复特性。平伟PASC0665GG采用TO252-2L贴片封装，适用于开关电源，功率因数校正，太阳能逆变器和UPS电源等场合，可提高开关频率及转换效率。
碳化硅二极管作为第三代半导体器件，目前已在诸多场合取代传统快恢复二极管。目前碳化硅二极管已经在电动汽车，逆变器，快充等场合广泛应用，提高系统效率和系统可靠性。高工作频率优势可以提高开关频率，减小被动元件体积，提高适配器功率密度。
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域，建立了产品开发、制造和测试平台，提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案。
评论 (0)